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20V 0.75A SOT-23 N-MOS con protección ESD
  • 20V 0.75A SOT-23 N-MOS con protección ESD

20V 0.75A SOT-23 N-MOS con protección ESD

    Tipo de Pago: T/T
    Incoterm: FOB
    Cantidad de pedido mínima: 10 Roll
    Plazo de entrega: 20 días

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Información básica

Modelo: ATM2002KSA

Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO

Forma: Otro

Tipo de blindaje: Otro

Método de enfriamiento: Tubo Naturalmente Enfriado

Función: Switch Transistor

Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia

Estructura: Planar

Estructura de la encapsulación: Chip Transistor

Nivel de potencia: Pequeña potencia

Material: Silicio

Información adicional

Paquete: T / R

productividad: 3KK/M

Marca: agertech

transporte: Ocean

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: formal

Certificados : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS-Code: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

DDescripción

ATM2002KSA es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N con paquete SOT23. El voltaje de la fuente de drenaje: 20 V y la corriente de drenaje: 0.75A. La característica principal de ATM2002KSA es

Paquete de montaje en superficie, interruptor de canal N con Low R DS (encendido), operado en el controlador de puerta de nivel lógico bajo, protección ESD: 2KV, R DS (ON) <380mΩ (V GS = 4.5V), R DS (ON) <450mΩ (V GS = 2.5V), RDS (ON) <800mΩ (VGS = 1.8V). La aplicación principal es conmutación de carga / alimentación, conmutación de interfaces, gestión de batería para dispositivos electrónicos portátiles ultra pequeños y cambio de nivel lógico.


Calificaciones máximas absolutas (Ta = 25 ℃ a menos que se indique lo contrario)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±10

V

Continuous Drain Current

ID

0.75

A

Pulsed Drain Current

IDM

1.8

A

Power Dissipation

PD

0.35

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

417

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


Field Effect Transistor Uses




PRODUCTOS POR GRUPO : Transistor De Señal Pequeña

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