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Rectificador de barrera Schottky de montaje en superficie 1A 20V
  • Rectificador de barrera Schottky de montaje en superficie 1A 20V

Rectificador de barrera Schottky de montaje en superficie 1A 20V

    Tipo de Pago: T/T
    Incoterm: FOB
    Cantidad de pedido mínima: 10 Roll
    Plazo de entrega: 20 días

Descargar:

Información básica

Modelo: 1N5817W-AT

Estructura de la encapsulación: Otro

Solicitud: Productos electrónicos

Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO

Intensidad luminosa: Estándar

Color: Otro

Estructura: Planar

Material: Silicio

Información adicional

Paquete: T / R

productividad: 10KK/M

Marca: agertech

transporte: Ocean

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: formal

Certificados : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS-Code: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

DDescripción

1N5817W-AT es un tubo rectificador Schottky 1A 20V convencional, que se empaqueta en plástico SOD123FL. La estructura y las características del diodo Schottky lo hacen adecuado para la rectificación de alta frecuencia en baja tensión, salida de alta corriente, etc. a alta frecuencia. Para la detección y mezcla, los diodos Schottky se utilizan como abrazaderas en circuitos lógicos de alta velocidad. Los diodos Schottky también se usan comúnmente en circuitos integrados y también se usan ampliamente en computadoras de alta velocidad.


Calificaciones y características máximas absolutas

Calificaciones a 25 temperature temperatura ambiente, a menos que se especifique lo contrario, monofásico, media onda, carga resistiva o inductiva. Para carga capacitiva, rebajar en un 20%.

Parameter

Symbols

1N5817W-AT

1N5818W-AT

1N5819W -AT

Units

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

VRRM

20

30

40

V

Maximum RMS Voltage

VRMS

14

21

28

V

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

20

30

40

V

Maximum Average Forward Rectified Current

IF(AV)

1

A

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave

Superimposed on Rated Load(JEDEC methode)

IFSM

25

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage           at IF = 1 A

at IF = 3 A

VF

0.45

0.75

0.55

0.875

0.6

0.9

 

V

Maximum Instantaneous Reverse Current        at TA = 25

Rated DC Blocking Voltage 1)                                TA = 100

IR

0.5

10

mA

Typical Junction Capacitance 2)

CJ

110

pF

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient 3)

RθJA

75

/W

Operating Junction Temperature Range

Tj

- 55 to + 125

Storage Temperature Range

Tstg

- 55 to + 150

1) Prueba de pulso: 300 µs de ancho de pulso, 1% de ciclo de trabajo

2) Medido a 1 MHz y voltaje inverso de 4 V

3) Unión de resistencia térmica a ambientes de cobre de 0.24 "X 0.24" (6 X 6 mm) en cada terminal


1N5817 SOD123FL Schottky Rectifier




PRODUCTOS POR GRUPO : Diodo de Schottky

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