Contactar Proveedor? Proveed
tony Mr. tony
¿Qué puedo hacer por ti?
Contactar Proveedor
 Número de Teléfono:86-0769-81785058 Email:tony.xu@agertech.com.cn
Home > Lista de Productos > P Channel Mosfet > 20V 4A SOT-23 P-MOS
20V 4A SOT-23 P-MOS
  • 20V 4A SOT-23 P-MOS

20V 4A SOT-23 P-MOS

    Tipo de Pago: T/T
    Incoterm: FOB
    Cantidad de pedido mínima: 10 Roll
    Plazo de entrega: 20 días

Descargar:

Información básica

Modelo: ATM2301APSA

Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO

Forma: Otro

Tipo de blindaje: Otro

Método de enfriamiento: Tubo Naturalmente Enfriado

Función: Switch Transistor

Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia

Estructura: Planar

Estructura de la encapsulación: Chip Transistor

Nivel de potencia: Pequeña potencia

Material: Silicio

Información adicional

Paquete: T / R

productividad: 2KK/M

Marca: agertech

transporte: Ocean

Lugar de origen: China

Capacidad de suministro: formal

Certificados : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS-Code: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

DDescripción

ATM2301APSA es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal P con paquete SOT23. El voltaje de la fuente de drenaje: -20 V y la corriente de drenaje: -4A. La característica principal de ATM2301APSA es Trench FET Power MOSFE, RDS excelente (encendido) y carga de puerta baja, R DS (ON) <90mΩ (V GS = -4.5V) y R DS (ON) <110mΩ (V GS = -2.5 V). La aplicación principal es el convertidor CC / CC, interruptor de carga para dispositivos portátiles, interruptor de batería.


Calificaciones máximas absolutas (Ta = 25 ℃ a menos que se indique lo contrario)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±12

V

Continuous Drain Current

ID

-4

A

Pulsed Drain Current

IDM

-16

A

Power Dissipation

PD

0.83

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

357

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


Características eléctricas (T A = 25 o C, a menos que se indique lo contrario. célebre)

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Static Characteristics

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS

VGS = 0V, ID =-250µA

-20



V

Zero gate voltage drain current

IDSS

VDS  =-16V,VGS  = 0V



-1

µA

Gate-body leakage current

IGSS

VGS  =±12V, VDS  = 0V



±100

nA

Gate threshold voltage

VGS(th)

VDS =VGS, ID =-250µA

-0.5

-0.7

-1

V

Drain-source on-resistance1)

RDS(on)

VGS = -4.5V, ID = -0.5A


70

90

mΩ

VGS  = -2.5V, ID = -0.5A


90

110

Forward transconductance1)

gFS

VDS  =-5V, ID =-2A

5



S

Dynamic characteristics2)

Input Capacitance

Ciss

 

VDS  =-10V,VGS  =0V,f =1MHz


405


pF

Output Capacitance

Coss


75


Reverse Transfer Capacitance

Crss


55


Gate resistance

Rg

f =1MHz


6


Total Gate Charge

Qg

 

VDS =-10V,VGS =-2.5V,ID=-3A


3.3

12

nC

Gate-Source Charge

Qgs


0.7


Gate-Drain Charge

Qgd


1.3


Turn-on delay time

td(on)

 

VDD=-10V,VGEN=-4.5V,ID=-1A RL=10Ω,RGEN=1Ω


11


ns

Turn-on rise time

tr


35


Turn-off delay time

td(off)


30


Turn-off fall time

tf


10


Source-Drain Diode characteristics

Diode Forward voltage

VDS

VGS  =0V, IS=-1.25A


-0.7

-1.3

V



Notas:

1) Prueba de pulso : Ancho de pulso <300µs, ciclo de trabajo ≤2%.

2) Garantizado por diseño, no sujeto a producción. pruebas.

Field Effect Transistor






PRODUCTOS POR GRUPO : P Channel Mosfet

Contactar proveedor
  • Mr. tony
  • Su mensaje debe ser de entre 20 a 8,000 caracteres.

Lista de productos relacionados

Inicio

Phone

Skype

solicitar