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P Channel Mosfet

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Los transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOS) se pueden dividir en canal N y canal P. Los transistores de efecto de campo MOS de silicio de canal P tienen dos regiones P + en el sustrato de silicio de tipo N, que se denominan fuente y El drenaje no es conductor entre los dos polos, y cuando se aplica una tensión positiva suficiente (tierra de compuerta) al Fuente, la superficie del silicio de tipo N debajo de la compuerta exhibe una capa de inversión de tipo P, que se convierte en un canal que conecta la fuente y el drenaje. . Al cambiar el voltaje de la compuerta, se modifica la densidad de los orificios en el canal, lo que cambia la resistencia del canal. Dicho transistor de efecto de campo MOS se denomina transistor de efecto de campo de tipo de mejora de canal P. Si la superficie del sustrato de silicio de tipo N está libre de voltaje de compuerta, el canal de la capa de inversión de tipo P ya existe, y el voltaje de polarización adecuado puede aumentar o disminuir la resistencia del canal. Dicho transistor de efecto de campo MOS se conoce como un transistor de efecto de campo de agotamiento de canal P. Se les conoce colectivamente como transistores PMOS.
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