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MOSFET de potencia del modo de mejora de canal N de 30V 80A
  • MOSFET de potencia del modo de mejora de canal N de 30V 80A

MOSFET de potencia del modo de mejora de canal N de 30V 80A

    Tipo de Pago: T/T
    Incoterm: FOB
    Cantidad de pedido mínima: 10 Roll
    Plazo de entrega: 20 días

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Información básica

Modelo: ATM03N80TE

Proceso de dar un título: RoHS, ISO

Forma: Otro

Tipo de blindaje: Otro

Método de enfriamiento: Otro

Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia

Estructura: Planar

Estructura de la encapsulación: Transistor sellado plástico

Nivel de potencia: Potencia media

Material: Silicio

Información adicional

Paquete: T / R

productividad: 1KK/M

Marca: AGERTECH

transporte: Ocean

Lugar de origen: CHINA

Capacidad de suministro: MEDIUM

Certificados : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS-Code: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

DDescripción

El ATM03N80TE es el MOSFET de N-ch de gran densidad de celdas, que proporciona una excelente carga RDSON y de compuerta para la mayoría de las aplicaciones del convertidor buck sincrónico.

El ATM03N80TE cumple con los requisitos de RoHS y productos verdes, 100% EAS garantizado con la fiabilidad de todas las funciones aprobadas.

caracteristicas:



  • 100% EAS Garantizado
  • Dispositivo verde disponible
  • Carga de puerta super baja
  • Excelente disminución del efecto CdV / dt
  • Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular


Características eléctricas (TJ = 25 ℃, a menos que se indique lo contrario)

Symbol

Parameter

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage

VGS=0V , ID=250uA

30

---

---

V

BVDSS/TJ

BVDSS Temperature Coefficient

Reference to 25 , ID=1mA

---

0.028

---

V/

 

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2

VGS=10V , ID=30A

---

4.7

5.5

 

mW

VGS=4.5V , ID=15A

---

7.5

9

VGS(th)

Gate Threshold Voltage

 

VGS=VDS , ID =250uA

1.0

1.5

2.5

V

VGS(th)

VGS(th) Temperature Coefficient

---

-6.16

---

mV/

 

IDSS

 

Drain-Source Leakage Current

VDS=24V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

 

uA

VDS=24V , VGS=0V , TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current

VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance

VDS=5V , ID=30A

---

22

---

S

Rg

Gate Resistance

VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.7

3.4

W

Qg

Total Gate Charge (4.5V)

 

VDS=15V , VGS=4.5V , ID=15A

---

20

---

 

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

7.6

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

7.2

---

Td(on)

Turn-On Delay Time

 

VDD=15V , VGS=10V , RG=3.3W ID=15A

---

7.8

---

 

 

ns

Tr

Rise Time

---

15

---

Td(off)

Turn-Off Delay Time

---

37.3

---

Tf

Fall Time

---

10.6

---

Ciss

Input Capacitance

 

VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz

---

2295

---

 

pF

Coss

Output Capacitance

---

267

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

210

---


N Channel Mosfet TO252



PRODUCTOS POR GRUPO : Canal N Mosfet

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