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650V 7A Modo de modo de mejora de canal N
  • 650V 7A Modo de modo de mejora de canal N

650V 7A Modo de modo de mejora de canal N

    Tipo de Pago: T/T
    Incoterm: FOB
    Cantidad de pedido mínima: 10 Roll
    Plazo de entrega: 20 días

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Información básica

Modelo: ATM7N65TE

Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO

Forma: Otro

Tipo de blindaje: Otro

Método de enfriamiento: Otro

Función: Transistor de alta presión trasera

Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia

Estructura: Planar

Estructura de la encapsulación: Chip Transistor

Nivel de potencia: Alto Voltaje

Material: Silicio

Información adicional

Paquete: T / R

productividad: 2KK/M

Marca: AGERTECH

transporte: Ocean

Lugar de origen: CHINA

Capacidad de suministro: MEDIUM

Certificados : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS-Code: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

DDescripción

El ATM7N65TE es un transistor de efecto de campo de potencia de modo de mejora de canal N de alto voltaje diseñado para minimizar la resistencia en el estado, el rendimiento de conmutación superior y resistir el pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este MOSFET de potencia es ideal para una fuente de alimentación de modo de conmutación de alta eficiencia.

CARACTERISTICAS:


  • RDS (ENCENDIDO) = 1.4Ω @VGS = 10 V
  • Carga de puerta ultra baja (típico 28 nC)
  • Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 12 pF)
  • Capacidad de conmutación rápida
  • Avalancha de energía probada
  • Capacidad mejorada de dv / dt, alta robustez


CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS (TC = 25 ° C, a menos que se especifique lo contrario)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS = 0V, ID = 250μA

650

 

 

V

Drain-Source Leakage Current

IDSS

VDS = 650V, VGS = 0V

 

 

10

µA

Gate-Source Leakage Current

Forward

IGSS

VGS = 30 V, VDS = 0 V

 

 

100

nA

 

Reverse

 

VGS = -30 V, VDS = 0 V

 

 

-100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VDS = VGS, ID = 250μA

2.0

 

4.0

V

Static Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS = 10V, ID =3.5A (Note 4)

 

1.05

1.4

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

CISS

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHz

 

950

1430

pF

Output Capacitance

COSS

 

 

85

130

pF

Reverse Transfer Capacitance

CRSS

 

 

12

18

pF

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

tD(ON)

 

VDD=325V, ID =7A, RG =25Ω (Note 1, 2)

 

16

 

ns

Turn-On Rise Time

tR

 

 

60

 

ns

Turn-Off Delay Time

tD(OFF)

 

 

80

 

ns

Turn-Off Fall Time

tF

 

 

65

 

ns

Total Gate Charge

QG

 

VDS=520V, ID=7A, VGS=10 V (Note 1, 2)

 

28

42

nC

Gate-Source Charge

QGS

 

 

5.5

8.3

nC

Gate-Drain Charge

QGD

 

 

11

17

nC

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS = 0V, IS = 7A

 

 

1.4

V

Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current

IS

 

 

 

7

A

Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current

ISM

 

 

 

28

A

Reverse Recovery Time

trr

VGS = 0V, IS =7A,

dIF / dt = 100A/μs (Note 1)

 

365

 

ns

Reverse Recovery Charge

QRR

 

 

4.23

 

µC

High Voltage N-Channel

PRODUCTOS POR GRUPO : Canal N Mosfet

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